Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 12.5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251, IPS70R360P7SAKMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2581
メーカー型番:
IPS70R360P7SAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.4nC

最大許容損失Pd

53W

動作温度 Max

150°C

幅

2.4 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

9.82mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolMOS は、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計された Infineon CoolMOS の画期的な高電圧 MOSFET 技術です最新の CoolMOS ™ P7 は、充電器、アダプタ、照明、テレビなどの消費者市場におけるコスト重視の用途に合わせて最適化されたプラットフォームです。この新しいシリーズは、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET のすべての利点を備えています。 優れた価格性能比と ART の使いやすさを両立させた製品です。このテクノロジーは最高レベルの効率基準を満たし、高電力密度をサポートしているため、非常にスリムな設計に移行できます。

超低 FOMRDS （ on ） * Qg 、 RDS （ on ） * eOSS による超低損失

優れた温度特性

ESD 保護ダイオードを内蔵しています

低スイッチング損失（ eOSS ）

適合する製品検証JEDEC 規格

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