Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 700 V, 5.7 A, 2 Ω, 3.8 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251
- RS品番:
- 220-7444
- メーカー型番:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
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- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | TO-251 | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 最大許容損失Pd | 17.6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 高さ | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.38mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 TO-251 | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
最大許容損失Pd 17.6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.8nC | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.6mm | ||
高さ 6.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.38mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSは、スーパージャンクション（SJ）原理に基づいて設計された、Infineon Technologiesがパイオニアとなる高電圧パワーMOSFETの革新的な技術です。最新のCool MOS P7は、充電器、アダプター、照明、テレビなど、消費者市場におけるコスト重視のアプリケーションをターゲットにした最適化されたプラットフォームです。この新シリーズは、高速スイッチングが可能なスーパージャンクションMOSFETのすべての利点を持ち、優れた価格性能比と使いやすさを実現しています。この技術は、最高の効率基準を満たし、高い電力密度をサポートするため、超薄型設計に最適です。
FOM RDS(on)*QgとRDS(on)*Eossが非常に小さいための低損失
優れた温度特性
ESD保護用ダイオードを内蔵
低スイッチング損失(Eoss)
JEDECの標準規格に準拠した製品の検証
コスト競争力のあるテクノロジー
低温
高耐久性
高いスイッチング周波数での効率向上が可能
高電力密度設計と小型化が可能
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