Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IPZ40N04S58R4ATMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2589
メーカー型番:
IPZ40N04S58R4ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IPZ

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.7nC

最大許容損失Pd

34W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon 40 V 、 N チャンネル、 8.4 M Ω （最大）、車載 MOSFET 、 S3O8 、 OptiMOS ™ -5 。

Infineon 40 V 、 N チャンネル、 8.4 M Ω （最大）、車載 MOSFET 、 S3O8 、 OptiMOS ™ -5 。

OptiMOS ™ - 車載用途に適したパワー MOSFET です

N チャンネル - 強化モード - 標準レベル

AEC Q101 認定

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

100 % アバランシェテスト済み

OptiMOS ™ - 車載用途に適したパワー MOSFET です

N チャンネル - 強化モード - 標準レベル

AEC Q101 認定

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

100 % アバランシェテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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