Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, IPZA60R180P7XKSA1

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RS品番:
217-2593
メーカー型番:
IPZA60R180P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

最大許容損失Pd

72W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

幅

5.1 mm

長さ

15.9mm

規格 / 承認

No

高さ

41.2mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高効率を実現しています。

600 V P7 により、優れた FOM R DS （ on ） xE oss DS （ on ） XQ G が実現

ESD 耐性：≥ 2 kV （ HBM クラス 2 ）

内蔵ゲート抵抗器 R G

堅牢なボディのダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方の部品を用意しています

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