Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 151 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, IPZA60R060P7XKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,059.00

(税抜)

￥2,264.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年10月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 6￥1,029.50￥2,059
8 - 14￥998.50￥1,997
16 - 18￥967.00￥1,934
20 - 22￥936.00￥1,872
24 +￥905.00￥1,810

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
220-7466
メーカー型番:
IPZA60R060P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

151A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

164W

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

67nC

動作温度 Max

150°C

長さ

15.9mm

規格 / 承認

No

幅

5.1 mm

高さ

21.1mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS P7 スーパージャンクションMOSFETは、 600 V CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

600V P7により、優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現

ESD耐性≥ 2kV（HBM クラス 2）

ゲート抵抗RG内蔵

高耐久性ボディダイオード

スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方が利用可能

優れたFOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss により高効率化を実現

ESD故障の発生を抑制し、製造現場での使い勝手を向上

RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減

MOSFETはPFCやLLCなどのハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに最適

LLC トポロジで見られるボディダイオードのハードコミュテーションにおいて優れた耐久性を発揮

様々なアプリケーション、出力電力に対応可能

民生用や産業用アプリケーションに適した部品を用意

関連ページ