Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 76 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-247, IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,816.00

(税抜)

￥1,997.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 108 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 6￥1,816
7 - 13￥1,763
14 - 18￥1,709
19 - 24￥1,658
25 +￥1,594

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-4731
メーカー型番:
IPZA60R037P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

76A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

37mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

121nC

最大許容損失Pd

255W

動作温度 Max

150°C

高さ

21.1mm

規格 / 承認

No

幅

5.1 mm

長さ

15.9mm

自動車規格

なし

InfineonのCool MOSTM第7世代プラットフォームは、スーパージャンクション(SJ)原理に基づいて設計され、Infineon Technologiesが開発した革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。

全ての製品で 2 kV （ HBM）の優れたESD 耐性>イッチング損失と伝導損失を大幅に低減

>

関連ページ