Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 217-2619
- メーカー型番:
- IRFR2905ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2000 - 8000 | ￥69.385 | ￥138,770 |
| 10000 - 18000 | ￥67.698 | ￥135,396 |
| 20000 - 48000 | ￥66.009 | ￥132,018 |
| 50000 - 98000 | ￥64.322 | ￥128,644 |
| 100000 + | ￥62.643 | ￥125,286 |
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- RS品番:
- 217-2619
- メーカー型番:
- IRFR2905ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 59A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 14.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 59A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.39mm | ||
幅 6.22 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。
Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。
先進のプロセス技術
超低ON抵抗
動作温度: 175 °C
高速スイッチング
反復アバランシェはTjmaxまで許容
鉛フリー
先進のプロセス技術
超低ON抵抗
動作温度: 175 °C
高速スイッチング
反復アバランシェはTjmaxまで許容
鉛フリー
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