Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 55 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
220-7489
メーカー型番:
IRFR1010ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

460nC

最大許容損失Pd

366W

動作温度 Max

175°C

高さ

20.7mm

幅

5.31 mm

規格 / 承認

No

長さ

15.87mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS N チャンネルパワー MOSFET は、効率、電力密度、コスト効果を高めるために開発されています。高性能アプリケーション向けに設計され、高いスイッチング周波数に最適化されたOptiMOS製品は、業界最高水準の性能を発揮します。OptiMOS パワーMOSFET ポートフォリオは、Strong IRFETによって補完されており、強力な組み合わせを生み出しています。Strong IRFET MOSFETの堅牢で優れた価格性能と、OptiMOS MOSFETのクラス最高の技術の完璧なマッチングのメリットを享受することができます。どちらの製品ファミリも、最高の品質基準と性能要求に応えています。12V→300VまでMOSFETをカバーする共同ポートフォリオは、SMPS、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御・駆動、インバーター、コンピューティングなど低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応することができます。

幅広い販売パートナーから入手できるように最適化

JEDEC 規格に準拠した製品認定

標準レベル：10Vゲート駆動電圧に最適化

業界標準の表面実装パワーパッケージ

ウェーブソルダリング可能

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