Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR2905ZTRPBF

RS品番:: 217-2620
メーカー型番:: IRFR2905ZTRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR2905ZTRPBF

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100 - 880	￥141.95	￥2,839
900 - 1180	￥126.65	￥2,533
1200 - 1580	￥110.30	￥2,206
1600 +	￥93.90	￥1,878

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RS品番:: 217-2620
メーカー型番:: IRFR2905ZTRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	59A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	55V
	シリーズ	HEXFET
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	14.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	29nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.3V
	最大許容損失Pd	110W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	2.39mm
	幅	6.22 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	6.73mm
	Distrelec Product Id	304-39-420
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 59A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V
	シリーズ HEXFET
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.3V
	最大許容損失Pd 110W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 2.39mm
	幅 6.22 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 6.73mm
	Distrelec Product Id 304-39-420
	自動車規格なし

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー