Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 12.5 A, 表面, 6-Pin パッケージPQFN

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RS品番:
217-2639
メーカー型番:
IRL80HS120
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

42mΩ

最大許容損失Pd

11.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

2.1mm

高さ

2.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon では、 3 種類の電圧クラス（ 60 V 、 80 V 、 100 V ）が用意されており、 Infineon の新しいロジックレベルパワー MOSFET は、ワイヤレス充電、通信、アダプタの用途に最適です。PQFN 2x2 パッケージは、高速スイッチング及びフォームファクターが重要な用途に特に適しています。これにより、電力密度の向上、効率性の向上、大幅な省スペース化が可能になります。

最低 FOM （ R DS （ on ） x Q g / gd ）

Qg 、 Coss 、 Qrr を最適化し、高速スイッチングを実現しました

ロジックレベルの互換性

小型 PQFN 2 x 2 mm パッケージ

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