Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPQFN, IRFH8311TRPBF

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梱包形態
RS品番:
222-4747
メーカー型番:
IRFH8311TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

96W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

幅

6.15 mm

高さ

1.17mm

自動車規格

なし

InfineonのHEXFET®パワーMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

低RDSon (1.15 mΩ)
100%Rgテスト済み<

低プロファイル (0.9 mm)

低プロファイル<(0.9 Ω mm)

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