Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 38 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, AUIRF5210STRL

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梱包形態
RS品番:
218-2972
メーカー型番:
AUIRF5210STRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.6V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon の P チャンネル車載用 MOSFET です。特に車載用途向けに設計されています。HEXFET ® パワー MOSFET のセルラ設計では、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を低く抑えています。

先進のプロセス技術

PチャンネルMOSFET

超低ON抵抗

動的dv/dt定格

高速スイッチング

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