Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 320 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, AUIRF2804STRL7P

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梱包形態
RS品番:
222-4606
メーカー型番:
AUIRF2804STRL7P
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

320A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

170nC

最大許容損失Pd

330W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

自動車規格

AEC-Q101

InfineonパワーMOSFETは、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。このほか、175℃のジャンクション温度、高速スイッチング速度、改良された反復アバランシェ定格などの特徴を持っています。これらの特徴を組み合わせることで、車載用をはじめとするさまざまな用途で使用できる、非常に効率的で信頼性の高いデバイスとして設計されています。

InfineonパワーMOSFETは、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。このほか、175℃のジャンクション温度、高速スイッチング速度、改良された反復アバランシェ定格などの特徴を持っています。これらの特徴を組み合わせることで、車載用をはじめとするさまざまな用途で使用できる、非常に効率的で信頼性の高いデバイスとして設計されています。

高度なプロセス技術、

超低オン抵抗、高速スイッチング

鉛未使用、RoHS準拠

高度なプロセス技術、

超低オン抵抗、高速スイッチング

鉛未使用、RoHS準拠

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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