Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 270 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, AUIRF2804STRL

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梱包形態
RS品番:
220-7343
メーカー型番:
AUIRF2804STRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

270A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

160nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineonは、新しいOptiMOS技術を使用した20V～40VのNチャネル車載用認定パワーMOSFETを、さまざまなニーズに対応するために多様なパッケージで提供し、0.6mΩまでのRDS(on)を達成します。新しいOptiMOS 6とOptimos5 40VベンチマークMOSFET技術は、低伝導損失（クラス最高のRDS(on)性能）、低スイッチング損失（スイッチング動作改善）、ダイオード回復とEMC動作改善を実現します。このMOSFET技術は、最高の製品性能と品質を実現するために、最先端の革新的なパッケージに使用されています。設計の柔軟性を最大限高めるため、車載用MOSFETは幅広いニーズに対応できるように、様々なパッケージで提供されています。Infineon は、電流容量、スイッチング動作、信頼性、パッケージサイズ、全体の品質を着実に改善しています。新開発の集積型ハーフブリッジは、モータードライブや車体用途に適した革新的でコスト効率の高いパッケージソリューションです。

先進のプロセス技術

超低オン抵抗

動作温度： 175 ° C

高速スイッチング

繰り返しアバランシェは TJMAX まで対応

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