Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 17 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ0589NSATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
梱包形態
RS品番:
218-2984
メーカー型番:
BSZ0589NSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TSDSON

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.4mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon N チャンネルパワー MOSFET です。この MOSFET は、高性能ワイヤレス充電器に最適化されています。

Infineon N チャンネルパワー MOSFET です。この MOSFET は、高性能ワイヤレス充電器に最適化されています。

高周波 SMPS 用の低 FOMSW です

超低オン抵抗 RDS （ on ） @ VGS = 4.5 V

アバランシェ100 %テスト済み

優れた熱抵抗

高周波 SMPS 用の低 FOMSW です

超低オン抵抗 RDS （ on ） @ VGS = 4.5 V

アバランシェ100 %テスト済み

優れた熱抵抗

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ