Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵60 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- RS品番:
- 220-7362
- メーカー型番:
- BSZ100N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
5000 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は20個
￥115.20
(税抜)
￥126.72
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 280 | ￥115.20 | ￥2,304.00 |
| 300 - 2380 | ￥111.80 | ￥2,236.00 |
| 2400 - 3180 | ￥84.10 | ￥1,682.00 |
| 3200 - 3980 | ￥70.25 | ￥1,405.00 |
| 4000 + | ￥56.35 | ￥1,127.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 220-7362
- メーカー型番:
- BSZ100N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon OptiMOS 5 60 V は、サーバー、デスクトップ、タブレット充電器などの スイッチング電源（SMPS）の同期整流に最適化されています。モータ制御、太陽光発電マイクロインバータ、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に適しています。
同期整流に最適化
代替デバイスに比べてR DS(on)が40%低減
類似デバイスに比べてFOMが40%向上
RoHS準拠のハロゲン未使用
MSL1 等級
最高のシステム効率
並列化の必要性を軽減
電力密度が向上
システムコストの削減
超低電圧オーバーシュート
代替デバイスに比べてR DS(on)が40%低減
類似デバイスに比べてFOMが40%向上
RoHS準拠のハロゲン未使用
MSL1 等級
最高のシステム効率
並列化の必要性を軽減
電力密度が向上
システムコストの削減
超低電圧オーバーシュート
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 40 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | PQFN 3 x 3 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.001 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
関連ページ
- Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵60 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET80 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵40 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 62 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 253A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン