Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 60 V, 40 A, 1 mΩ, 12 nC, 8ピン, パッケージ:TSDSON

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梱包形態
RS品番:
220-7362
メーカー型番:
BSZ100N06NSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

36W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

幅

6.1mm

高さ

1.2mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧60 V、最大連続ドレイン電流40 A - BSZ100N06NSATMA1


このMOSFETおよびダイオードコンポーネントは、低導通損失と内蔵ダイオード性能を必要とする電力スイッチング用途向けの表面実装Nチャンネル強化装置です。幅広い温度範囲で動作し、コンパクトなTSDSONパッケージに収納されながら、大きな連続電流処理が必要な設計に適しています。

特長:


• 60V ドレイン・ソース定格により、中電圧スイッチング用途を実現
• 1mΩ の最大RDS(on)により、負荷時の伝導損失を最小限に抑制
• 40Aの連続ドレイン電流により、高電流電力段階をサポート
• 12nC標準ゲート充電により、制御されたスイッチング動作を実現
• 36Wの最大消費電力により、熱負荷を短時間維持
• 20Vゲート・ソース・リミットにより、ドライブ回路用ヘッドルームを実現

用途


• 電力コンバータの同期整流に最適
• DC-DCコンバータの出力ステージスイッチングに最適
• 高電流を必要とするモータードライブハーフブリッジに使用
• バッテリ管理および負荷スイッチングに使用可能
• コンパクトシステムのポイントオフロードレギュレーションに使用

動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで動作するように設定されています。

組み立てにはどのような取り付け方法が必要ですか?


TSDSONパッケージの表面実装用途向けです。

プリント基板レイアウトには、どのくらいの接続ピンがありますか?


このデバイスは、電気的および機械的接続に8つのピンを使用します。

どのようなチャンネル伝導モードを採用していますか?


エンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。

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