Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 46 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥211,365.00

(税抜)

￥232,500.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥42.273￥211,365
10000 - 45000￥41.641￥208,205
50000 - 70000￥41.009￥205,045
75000 - 95000￥40.377￥201,885
100000 +￥39.745￥198,725

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
218-2985
メーカー型番:
BSZ099N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

46A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.9mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.9nC

最大許容損失Pd

36W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS ™シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。ワイヤレス充電、アダプタ、通信用途に最適です。このデバイスの低ゲート電荷（ Q g ）により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。

アバランシェ100 %テスト済み

優れた熱抵抗

鉛フリーリードめっき

関連ページ