Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 8.5 A, 600 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 218-3011
- メーカー型番:
- IPA70R600P7SXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-3011
- メーカー型番:
- IPA70R600P7SXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 600mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 最大許容損失Pd | 24.9W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
最大許容損失Pd 24.9W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 700V CoolMOS P7シリーズMOSFET、700Vドレインソース電圧、8.5A連続ドレイン電流 - IPA70R600P7SXKSA1
このMOSFETは、スルーホールアセンブリの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、TO-220パッケージで取り付けており、大幅な電圧ブロッキングと制御されたゲートドライブを必要とする用途に適しています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 700V により、高電圧スイッチングが可能
• 8.5Aの連続ドレイン電流により、中程度の電流負荷に対応
• 600 mΩ Rds(on)により、スイッチングサイクルでの導通損失を低減
• コンミューティング時に0.9Vの順方向電圧制限ダイオード降下
• 24.9Wの消費電力により、大幅な熱スループットを実現
• 最大30Vのゲート・ソース電圧により、標準的なゲート・ドライブ電圧を実現
• 8.5Aの連続ドレイン電流により、中程度の電流負荷に対応
• 600 mΩ Rds(on)により、スイッチングサイクルでの導通損失を低減
• コンミューティング時に0.9Vの順方向電圧制限ダイオード降下
• 24.9Wの消費電力により、大幅な熱スループットを実現
• 最大30Vのゲート・ソース電圧により、標準的なゲート・ドライブ電圧を実現
用途
• 高電圧電源のスイッチングに使用
• 産業用高電圧コンバータおよびインバータに最適
• 堅牢なヒートシンクを必要とするスルーホールプロトタイプに最適
• 中電流通信電力段階に使用可能
• ラボテストリグのディスクリートゲートドライブ回路と併用
• 産業用高電圧コンバータおよびインバータに最適
• 堅牢なヒートシンクを必要とするスルーホールプロトタイプに最適
• 中電流通信電力段階に使用可能
• ラボテストリグのディスクリートゲートドライブ回路と併用
どのような動作温度に耐えられますか?
-40°C～+150°Cの温度範囲で動作します。
最適な熱性能を発揮するためには、どのように取り付ける必要がありますか?
スルーホールTO-220フォーマットは、ボルトダウンヒートシンク取り付け用で、放散を最大化するように設計されています。
どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
ゲート・ソースの電圧は30Vを超えてはならないため、ゲートの損傷を防ぐことができます。
どのような導通およびスイッチング性能要因が選択に影響しますか?
導通損失は600mΩのオン抵抗に関連しており、スイッチング動作は0.9Vの順方向ダイオード特性によって影響されます。
このデバイスは、自動車標準用途向けに規定されていますか?
自動車規格に準拠していないため、それに応じて評価する必要があります。
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