Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 60 V, 120 A, 2 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 218-3032
- メーカー型番:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-3032
- メーカー型番:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS ™ -T2 シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。スイッチング損失と導電電力損失が低く、高い熱効率を実現しています。
Nチャンネル - 強化モード
175 °Cの動作温度
100 % アバランシェテスト済み
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