Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 120 A パッケージPG-TO263-3-2
- RS品番:
- 260-5117
- メーカー型番:
- IPB120N06S403ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価： 購入単位は1000 個
￥218.462
(税抜)
￥240.308
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥218.462 | ￥218,462.00 |
| 2000 - 9000 | ￥211.94 | ￥211,940.00 |
| 10000 - 14000 | ￥200.637 | ￥200,637.00 |
| 15000 - 19000 | ￥194.986 | ￥194,986.00 |
| 20000 + | ￥189.333 | ￥189,333.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 260-5117
- メーカー型番:
- IPB120N06S403ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon NチャンネルoptiMOSパワーMOSFETは、優れたゲート充電を実現します。最大の電流容量を備えています。このNチャンネルMOSFETトランジスタは、強化モードで動作します。
Nチャンネル強化モード
MSL1: 最大260 °Cピークリフロー
100 %アバランシェテスト済み
MSL1: 最大260 °Cピークリフロー
100 %アバランシェテスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 120 A |
| パッケージタイプ | PG-TO263-3-2 |
関連ページ
- Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 120 A パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 90 A パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 100 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Pチャンネル MOSFET40 V 120 A SMD パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon MOSFET800 V 17 A SMD パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Pチャンネル MOSFET40 V 80 A SMD パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Nチャンネル MOSFET120 V 166 A SMD パッケージPG-TO263-3-2
- Infineon Nチャンネル MOSFET120 V 120 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3