Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 4.8 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50R1K4CEAUMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋50個入り) 小計：*

￥4,006.00

(税抜)

￥4,406.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,950 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
50 - 50￥80.12￥4,006
100 - 950￥70.34￥3,517
1000 - 1450￥59.62￥2,981
1500 - 1950￥49.86￥2,493
2000 +￥40.06￥2,003

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
218-3047
メーカー型番:
IPD50R1K4CEAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

500V CoolMOS CE

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

0.83V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.2nC

最大許容損失Pd

25W

動作温度 Max

150°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon 500 V CoolMOS ™ CE シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。CoolMOS ™は、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的な技術で、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計され、 Infineon Technologies が開発したものです。このシリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、市場で最高のコスト削減性能比を実現しながら、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET のすべての利点を備えています。

超高耐久性

使いやすい / ドライブ

鉛フリーめっき、ハロゲンフリーモールドコンパウンド

関連ページ