Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 7.6 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50R500CEAUMA1
- RS品番:
- 218-3049
- メーカー型番:
- IPD50R500CEAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-3049
- メーカー型番:
- IPD50R500CEAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | 500V CoolMOS CE | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 500mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ 500V CoolMOS CE | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 500mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18.7nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.41mm | ||
幅 6.22 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 500 V CoolMOS ™ CE シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。CoolMOS ™は、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的な技術で、スーパージャンクション( SJ )原理に従って設計され、 Infineon Technologies が開発したものです。このシリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、市場で最高のコスト削減性能比を実現しながら、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET のすべての利点を備えています。
超高耐久性
使いやすい / ドライブ
鉛フリーめっき、ハロゲンフリーモールドコンパウンド
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