Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 31 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-252

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RS品番:
218-3105
メーカー型番:
IRFR3410TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

31Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

110W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

幅

2.39 mm

高さ

6.22mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 DPAK （ TO-252 ）タイプパッケージに収容されています。この MOSFET は、主に高周波 DC-DC コンバータで使用されています。

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 DPAK （ TO-252 ）タイプパッケージに収容されています。この MOSFET は、主に高周波 DC-DC コンバータで使用されています。

RoHS対応

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

RoHS対応

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

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