Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 110 V, 16 A, 0.12 mΩ, 44 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥321,120.00

(税抜)

￥353,220.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥107.04￥321,120
6000 - 27000￥106.329￥318,987
30000 - 42000￥105.62￥316,860
45000 - 57000￥104.896￥314,688
60000 +￥104.186￥312,558

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4752
メーカー型番:
IRFR3910TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

110V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.12mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大許容損失Pd

79W

動作温度 Max

175°C

高さ

6.22mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineonの設計による国際整流器HEXFET®パワーMOSFETは、シリコン面積あたり極めて低いオン抵抗を達成するために高度なプロセス技術を活用します。この特長は、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計と相まって、設計者に様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供します。

高度なプロセス技術

ダイナミックdv/dt定格

高速スイッチング

完全アバランシェ定格

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。