Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 110 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 222-4752
- メーカー型番:
- IRFR3910TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール3000個入り) 小計：*
￥209,385.00
(税抜)
￥230,322.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 6,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥69.795 | ￥209,385 |
| 6000 - 27000 | ￥69.332 | ￥207,996 |
| 30000 - 42000 | ￥68.869 | ￥206,607 |
| 45000 - 57000 | ￥68.397 | ￥205,191 |
| 60000 + | ￥67.934 | ￥203,802 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4752
- メーカー型番:
- IRFR3910TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 16A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 110V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.12mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 79W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 16A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 110V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.12mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 79W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 6.22mm | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 2.39 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineonの設計による国際整流器HEXFET®パワーMOSFETは、シリコン面積あたり極めて低いオン抵抗を達成するために高度なプロセス技術を活用します。この特長は、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計と相まって、設計者に様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供します。
高度なプロセス技術
ダイナミックdv/dt定格
高速スイッチング
完全アバランシェ定格