Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 27 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR4105TRPBF

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梱包形態
RS品番:
218-3111
メーカー型番:
IRFR4105TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

68W

順方向電圧 Vf

0.045V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

幅

2.39 mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズ 55 V N チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を可能な限り低く抑えています。この MOSFET は、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。

超低ON抵抗

高速スイッチング

鉛フリー

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