Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR5505TRPBF
- RS品番:
- 827-4072
- メーカー型番:
- IRFR5505TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 20 - 80 | ￥122.90 | ￥2,458 |
| 100 - 880 | ￥108.15 | ￥2,163 |
| 900 - 1180 | ￥93.25 | ￥1,865 |
| 1200 - 1580 | ￥78.50 | ￥1,570 |
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- RS品番:
- 827-4072
- メーカー型番:
- IRFR5505TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.6V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Distrelec Product Id | 304-44-466 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.6V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 なし | ||
Distrelec Product Id 304-44-466 | ||
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。