Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 27 A, 表面 パッケージTO-252
- RS品番:
- 218-3110
- メーカー型番:
- IRFR4105TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | ￥64.251 | ￥128,502 |
| 10000 - 18000 | ￥62.973 | ￥125,946 |
| 20000 - 48000 | ￥59.613 | ￥119,226 |
| 50000 - 98000 | ￥57.93 | ￥115,860 |
| 100000 + | ￥56.252 | ￥112,504 |
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- RS品番:
- 218-3110
- メーカー型番:
- IRFR4105TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 27A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 45mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.045V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 27A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.045V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 2.39 mm | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET シリーズ 55 V N チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を可能な限り低く抑えています。この MOSFET は、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。
Infineon HEXFET シリーズ 55 V N チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を可能な限り低く抑えています。この MOSFET は、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。
超低ON抵抗
高速スイッチング
鉛フリー
超低ON抵抗
高速スイッチング
鉛フリー
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