Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 128 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計:*

¥170,292.80

(税抜)

¥187,322.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,600 2026年3月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
800 - 3200¥212.866¥170,293
4000 - 7200¥206.50¥165,200
8000 - 19200¥195.485¥156,388
20000 - 39200¥189.981¥151,985
40000 +¥184.478¥147,582

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
218-3117
メーカー型番:
IRFS3307ZTRRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

128A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.8mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

230W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

9.65mm

長さ

10.67mm

4.83 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 D2PAK ( TO-263 )タイプパッケージに収められています。

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

関連ページ