Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 128 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
218-3117
メーカー型番:
IRFS3307ZTRRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

128A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.8mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

最大許容損失Pd

230W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

4.83 mm

長さ

10.67mm

高さ

9.65mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 D2PAK （ TO-263 ）タイプパッケージに収められています。

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 D2PAK （ TO-263 ）タイプパッケージに収められています。

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

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