Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 128 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRFS3307ZTRRPBF

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥3,484.00

(税抜)

￥3,832.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,370 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 30￥348.40￥3,484
40 - 340￥313.90￥3,139
350 - 490￥280.50￥2,805
500 - 590￥245.90￥2,459
600 +￥212.40￥2,124

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
218-3118
メーカー型番:
IRFS3307ZTRRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

128A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.8mΩ

最大許容損失Pd

230W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

9.65mm

規格 / 承認

No

幅

4.83 mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 D2PAK （ TO-263 ）タイプパッケージに収められています。

Infineon HEXFET シリーズシングル N チャンネルパワー MOSFET で、 D2PAK （ TO-263 ）タイプパッケージに収められています。

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化

拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ