Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 170 A, 表面 パッケージTO-263, IRFS3207ZTRRPBF
- RS品番:
- 217-2632
- メーカー型番:
- IRFS3207ZTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 35 | ￥737.80 | ￥3,689 |
| 40 - 370 | ￥664.20 | ￥3,321 |
| 375 - 495 | ￥591.00 | ￥2,955 |
| 500 - 595 | ￥516.00 | ￥2,580 |
| 600 + | ￥442.40 | ￥2,212 |
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- RS品番:
- 217-2632
- メーカー型番:
- IRFS3207ZTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 170A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.1mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 9.65mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 170A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.1mΩ | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 170nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 9.65mm | ||
長さ 10.67mm | ||
幅 4.83 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 75 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D2-Pak パッケージ入りです。
ゲート、アバランシェ、ダイナミック dv/dt の耐久性が向上しています
静電容量及びアバランシェ SOA を完全特性化
拡張ボディダイオード dV/dt 及び dI/dt 容量
無鉛
RoHS 対応、ハロゲンフリー