STMicroelectronics MOSFET, 1.2 kV, 90 A, 0.21 Ω, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 219-4223
- メーカー型番:
- SCTH70N120G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 219-4223
- メーカー型番:
- SCTH70N120G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 90 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.21 Ω | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | SCTH70N | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 90 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.21 Ω | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ SCTH70N | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
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