STMicroelectronics MOSFET, 90 A, 表面実装, 7 ピン, SCTH70N120G2V-7

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RS品番:
219-4223
メーカー型番:
SCTH70N120G2V-7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

最大連続ドレイン電流

90 A

最大ドレイン-ソース間電圧

1200V

パッケージタイプ

H2PAK-7

シリーズ

SCTH70N

実装タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.21 Ω

最大ゲートしきい値電圧

4.9V

1チップ当たりのエレメント数

1

STの先進的かつ革新的な第2世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、スイッチング性能に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度にほとんど依存しません。

非常に高いジャンクション温度特性（ TJ = 175 ° C ）
非常に高速で堅牢なボディダイオード
非常に低いゲート電荷量と入力静電容量

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