型番

STMicroelectronics MOSFET 1200 V, 90 A, 表面, 7-Pin パッケージHU3PAK, SCT019HU120G3AG

RS品番:: 330-230
メーカー型番:: SCT019HU120G3AG
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET 1200 V, 90 A, 表面, 7-Pin パッケージHU3PAK, SCT019HU120G3AG

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RS品番:: 330-230
メーカー型番:: SCT019HU120G3AG
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	90A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	シリーズ	SCT0
	パッケージ型式	HU3PAK
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	19.2mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	111.2nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	22 V
	最大許容損失Pd	500W
	順方向電圧 Vf	3V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS, AEC-Q101
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 90A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	シリーズ SCT0
	パッケージ型式 HU3PAK
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 19.2mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 111.2nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 22 V
	最大許容損失Pd 500W
	順方向電圧 Vf 3V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS, AEC-Q101
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: JP

STの先進的かつ革新的な第3世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

AEC-Q101適合

全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

効率を高めるソース検知ピン

STMicroelectronics MOSFET 1200 V, 90 A, 表面, 7-Pin パッケージHU3PAK, SCT019HU120G3AG

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