1 STMicroelectronics MOSFET, 90 A, 表面実装 1200 V, 7-Pin, SCTH70N120G2V-7 パッケージH2PAK-7
- RS品番:
- 219-4224
- メーカー型番:
- SCTH70N120G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 219-4224
- メーカー型番:
- SCTH70N120G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 90A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | SCTH70N | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.21Ω | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 90A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ SCTH70N | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.21Ω | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第2世代Sic MOSFET技術を使用して開発されています。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。
非常に高い動作ジャンクション温度能力(TJ = 175 °C)
非常に高速で堅牢なボディダイオード
非常に低いゲート充電及び入力静電容量
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