Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPA80R360P7XKSA1

Infineon 800 V CoolMOS P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに完全に対応し、低電力SMPSアプリケーションに完璧に適合します。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバック用途を対象としています。 この新製品ファミリは、従来の製品や他社製品と一般的なフライバック用途でテストした場合、最大0.6%の効率向上と2～8℃のMOSFET温度低下を実現しました。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度の設計を可能にします。全体として、BOMコストの削減と組み立作業の軽減に貢献します。

Infineon 800 V CoolMOS P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比における市場ニーズに完全に対応し、低電力SMPSアプリケーションに完璧に適合します。主にアダプタや充電器、LEDドライバ、オーディオ用SMPS、AUX、産業用電源などのフライバック用途を対象としています。 この新製品ファミリは、従来の製品や他社製品と一般的なフライバック用途でテストした場合、最大0.6%の効率向上と2～8℃のMOSFET温度低下を実現しました。また、スイッチング損失の低減とDPAK R DS(on)製品の改善により、より高い電力密度の設計を可能にします。全体として、BOMコストの削減と組み立作業の軽減に貢献します。

駆動やデザインが容易

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