Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 11 A, 450 mΩ, 24 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220
- RS品番:
- 214-4357
- メーカー型番:
- IPA80R450P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計:*
¥2,851
(税抜)
¥3,136
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 520 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ¥285.10 | ¥2,851 |
| 20 + | ¥279.10 | ¥2,791 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4357
- メーカー型番:
- IPA80R450P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | 800V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 450mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大許容損失Pd | 29W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.85mm | |
| 幅 | 16.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.68mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ 800V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大許容損失Pd 29W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.85mm | ||
幅 16.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.68mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン800V CoolMOS P7シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 800V、連続ドレイン電流 11A - IPA80R450P7XKSA1
このMOSFETは、電力変換および産業用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い周囲温度範囲で動作し、一般的な電源アセンブリでのスルーホール実装向けで、高い耐電圧と中程度の電流能力が求められる場合に信頼性の高い選択肢となります。
特長:
• ドレイン-ソース間定格電圧 800V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 11A により、大きな負荷電流に対応
• 450mΩ のRDS(on)により、電力段の導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷 24nC により、効率的なスイッチング性能を実現
• 最大許容電力 29W により、高い熱ストレスに対応
• ゲート許容電圧 30V により、柔軟なゲート駆動振幅に対応
• 連続ドレイン電流 11A により、大きな負荷電流に対応
• 450mΩ のRDS(on)により、電力段の導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷 24nC により、効率的なスイッチング性能を実現
• 最大許容電力 29W により、高い熱ストレスに対応
• ゲート許容電圧 30V により、柔軟なゲート駆動振幅に対応
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータードライブのフロントエンドに最適
• エネルギー分野のスイッチング電源システムに使用
• 昇圧回路のライン側スイッチングに使用可能
• スルーホール実装による実験室や試作用アセンブリに適合
• 産業用モータードライブのフロントエンドに最適
• エネルギー分野のスイッチング電源システムに使用
• 昇圧回路のライン側スイッチングに使用可能
• スルーホール実装による実験室や試作用アセンブリに適合
信頼性の高い動作が可能な温度範囲はどのくらいですか?
このデバイスは -55°C~150°C で機能するよう規定されており、低温環境と高温環境の両方で動作できます。
実装と冷却のために、どのようなパッケージが採用されていますか?
スルーホール実装用のTO-220パッケージで提供され、熱管理のためにヒートシンクやシャーシに取り付けることができます。
ゲート駆動に関してどのような点に注意すべきですか?
最大ゲート-ソース間電圧は 30V、標準総ゲート電荷は 24nC のため、ドライバを選定する際は、目的のスイッチング速度を得られるよう電圧マージンと駆動能力のバランスを取る必要があります。
導通抵抗は設計にどのような影響を与えますか?
最大ドレイン-ソース間オン抵抗が 450mΩ のため、設計者は想定電流での導通損失を考慮し、それに応じてヒートシンクのサイズを決める必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 800 V 450 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 900 V 450 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 600 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 360 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 750 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 450 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 950 V 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
