Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 6 A, 120 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-220

RS品番:: 219-5990
メーカー型番:: IPA95R1K2P7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 6 A, 120 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-220

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RS品番:: 219-5990
メーカー型番:: IPA95R1K2P7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	950V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	CoolMOS P7
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	120mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	900mV
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	最大許容損失Pd	27W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	+150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ CoolMOS P7
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 900mV
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	最大許容損失Pd 27W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max +150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IPA95R1K2P7XKSA1

Infineon CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧950 V、最大連続ドレイン電流6 A - IPA95R1K2P7XKSA1

このMOSFETは、高電圧強化Nチャンネルトランジスタで、持続的な熱性能と電気性能が求められる電力スイッチング用途向けです。広い周囲温度範囲で動作し、取り付け設置に適したスルーホールTO‐220パッケージで提供され、電力変換やスイッチング回路での使用に適した電圧処理、電流容量、ゲートドライブ許容差のバランスを確保します。

特長：

• 950 V定格により、高電圧スイッチング用途に対応
• 6Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力負荷に対応
• 120 mΩ Rds(on)により、スイッチング時の導通損失を低減
• 27Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 0.9 Vの順方向電圧により、Vf関連の伝導降下を最小限に抑制
• 30 Vゲート・ソース定格により、一般的なゲート・ドライブ電圧を実現

用途

• 高電圧電源およびコンバータに最適
• オフライン‐スイッチ‐モード電源の一次側に最適
• 産業用電源スイッチングおよびモータードライバーに使用
• HVスナバーおよびクランプ回路に使用可能
• TO‐220取り付けが必要な電源アセンブリで使用

どのような周囲温度範囲に対応できますか?

-55°C～+150°Cで動作するように設定されています。

どのくらいのピンとどのような取り付け方法を使用しますか?

3ピンを備え、TO‐220パッケージでスルーホール取り付け用に設計されています。

どのようなチャンネルモードとタイプを採用していますか?

エンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。

最大ドレイン・ソース電圧とその意味は?

最大ドレイン・ソース電圧は950 Vで、高電圧回路での使用が可能です。

ゲート入力にはどのような電気的制限がありますか?

ゲート・ソース電圧は30 Vを超えてはなりません。