Infineon MOSFET, Nチャンネル, 900 V, 14 A, 450 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 222-4647
- メーカー型番:
- IPA95R450P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5個小計, 5パック：*
￥2,865
(税抜)
￥3,152
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 75 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ￥573.00 | ￥2,865 |
| 10 + | ￥560.80 | ￥2,804 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4647
- メーカー型番:
- IPA95R450P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 900V | |
| シリーズ | CoolMOS | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 450mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 最大許容損失Pd | 30W | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 900V | ||
シリーズ CoolMOS | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
最大許容損失Pd 30W | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSシリーズMOSFET、900Vドレインソース電圧、14A連続ドレイン電流 - IPA95R450P7XKSA1
このMOSFETは、要求の厳しい電気システムでの電力変換と制御用に設計された高電圧スイッチングトランジスタです。表面実装用のTO-220パッケージで提供されるNチャンネルエンハンスメントモードデバイスで、幅広い温度範囲で動作しながら、大きなブロッキング電圧と中程度の連続電流を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 900V により、高電圧スイッチングに対応
• 14Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 450mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 30Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 0.9Vの順方向電圧により、ボディダイオードの伝導率の低下を実現
• 30Vゲートソース定格により、標準的なゲートドライブ電圧を実現
• 14Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 450mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 30Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 0.9Vの順方向電圧により、ボディダイオードの伝導率の低下を実現
• 30Vゲートソース定格により、標準的なゲートドライブ電圧を実現
用途
• 産業用高電圧電源に最適
• スイッチモード電力変換段階に最適
• モータドライブフロントエンドスイッチングに使用
• 高電圧クランプ回路に使用可能
• 高温システムでの熱管理に使用
• スイッチモード電力変換段階に最適
• モータドライブフロントエンドスイッチングに使用
• 高電圧クランプ回路に使用可能
• 高温システムでの熱管理に使用
動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～+150°Cの周囲温度範囲で動作します。
回路組立にはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
表面実装用のTO-220パッケージで提供されます。
ゲートドライブは、デバイス定格によってどのように制限されますか?
最大許容ゲート-ソース電圧は30 Vで、ゲートドライブはこれを超えてはなりません。
どのような伝導特性がスイッチング損失に影響しますか?
このデバイスの最大ドレイン-ソース抵抗は450 mΩで、導通損失に影響を与えます。
定格条件下では、どのくらいの連続電流を維持できますか?
最大14Aの連続ドレイン電流を伝送できます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 900 V 450 mΩ パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 950 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 800 V 450 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 950 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 950 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET シングル 15 A 3ピン, パッケージ：TO-220FP
- Infineon MOSFET 950 V 120 mΩ パッケージ：TO-220