Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 1.5 A, 450 mΩ, 4 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 219-5996
- メーカー型番:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 219-5996
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- IPN80R4K5P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 450mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 6W | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 6W | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.8mm | ||
長さ 6.7mm | ||
幅 3.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧800V、最大連続ドレイン電流1.5A - IPN80R4K5P7ATMA1
このMOSFETは、表面実装電力変換および制御作業向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。幅広い環境範囲で信頼性の高い動作を実現し、堅牢な電圧ブロッキングと適度な連続電流能力が求められる用途向けに設計されています。
特長：
• 800Vのドレイン・ソース定格により、高電圧用途に対応
• 450mΩ RDS(on)により、スイッチング時の導通損失を制限
• 4nC標準ゲート充電により、駆動エネルギー要件を低減
• 1.5Aの連続ドレイン電流により安定状態の負荷をサポート
• 6Wの最大消費電力により、動作中の熱ストレスに対応
• ±20Vのゲート許容差により、標準的なゲート駆動電圧を実現
• 450mΩ RDS(on)により、スイッチング時の導通損失を制限
• 4nC標準ゲート充電により、駆動エネルギー要件を低減
• 1.5Aの連続ドレイン電流により安定状態の負荷をサポート
• 6Wの最大消費電力により、動作中の熱ストレスに対応
• ±20Vのゲート許容差により、標準的なゲート駆動電圧を実現
用途
• 高電圧に対応するオフライン電源に最適
• 産業用システムのブーストコンバータに最適
• 中電流のスイッチモードパワーステージに使用
• 800Vを必要とする半導体試験装置に使用可能
• コンパクトパワーボードの表面実装アセンブリと併用
• 産業用システムのブーストコンバータに最適
• 中電流のスイッチモードパワーステージに使用
• 800Vを必要とする半導体試験装置に使用可能
• コンパクトパワーボードの表面実装アセンブリと併用
どの周囲温度範囲で動作できますか？
-55°C～150°Cの幅広い温度範囲で動作し、過酷な熱環境に適しています。
パッケージは熱性能にどのような影響を与えますか?
SOT‐223表面実装パッケージは、適切に取り付けられた場合に最大6Wの放熱に対応しながら、小型フットプリントを実現します。
どのようなゲートドライブに配慮する必要がありますか?
このデバイスは、ゲートとソース間で最大±20Vを受け入れ、通常、高速スイッチングには4nCの総ゲート電荷に対応する駆動エネルギーが必要です。
この特性により、どのようなスイッチングトポロジーの利点が最もありますか?
高電圧Nチャンネル強化動作により、中程度の連続電流処理で800Vのブロッキングを必要とするトポロジに適しています。
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