Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 360 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R024CFD7XKSA1

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梱包形態
RS品番:
219-6017
メーカー型番:
IPW60R024CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

360A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolMOS CSFD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

183nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

320W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

規格 / 承認

No

高さ

5.21mm

幅

21.1 mm

自動車規格

なし

Infineon 600V の CoolMOS CFD7 スーパージャンクション MOSFET IPW60R024CFD7 は、サーバー、通信、 EV 充電ステーションなどの高出力スイッチング電源における共振トポロジに最適で、効率を大幅に向上させます。CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品として、ゲート電荷量の低減、ターンオフ特性の改善、競合製品と比較して最大69%の逆回復電荷の低減を実現しています。

超高速ボディダイオード

クラス最高の逆回復電荷（ Qrr ）

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