Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB015N04NGATMA1
- RS品番:
- 220-7374
- メーカー型番:
- IPB015N04NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥4,371.00
(税抜)
￥4,808.10
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 3,970 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥874.20 | ￥4,371 |
| 50 - 470 | ￥780.00 | ￥3,900 |
| 475 - 595 | ￥685.40 | ￥3,427 |
| 600 - 795 | ￥591.00 | ￥2,955 |
| 800 + | ￥497.80 | ￥2,489 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 220-7374
- メーカー型番:
- IPB015N04NGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS 3 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS 3 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS 40 V は、サーバやデスクトップなどのスイッチング電源（ SMPS ）の同期整流に最適です。モータ制御、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に使用されています。
優れたゲート電荷量 x R DS （ on ）製品（ FOM ）
低オン抵抗 R DS （ on ）
高速スイッチング用途に最適
最高のシステム効率
並列化の必要性を軽減
電力密度が向上
システムコストの削減
超低電圧オーバーシュート
関連ページ
- インフィニオン ダイオード内蔵 12 A 3 ピン, IPB015N04NGATMA1
- インフィニオン MOSFET 180 A 7 ピン, IPB011N04NGATMA1
- インフィニオン ダイオード内蔵 180 A 7 ピン, IPB011N04LGATMA1
- インフィニオン MOSFET 260 A IPB015N08N5ATMA1
- インフィニオン MOSFET 195 A 3 ピン, IPB015N06NF2SATMA1
- インフィニオン ダイオード内蔵 120 A 3 ピン, IPB031N08N5ATMA1
- インフィニオン ダイオード内蔵 105 A 3 ピン, IPB083N15N5LFATMA1
- インフィニオン ダイオード内蔵 80 A 3 ピン, IPB065N10N3GATMA1