Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 80 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
220-7377
メーカー型番:
IPB031N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 80 V 産業用パワー MOSFET IPB031N08N5 は、前世代と比べ RDS （ on ）43％低減し、高スイッチング周波数に最適です。通信やサーバ電源の同期整流用に設計されています。太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途で使用されています。

同期整流に最適化

高スイッチング周波数に最適

出力静電容量を最大 44 % 削減

R DS （ on ）最大 44 % 低減

最高レベルのシステム効率

スイッチング損失と導通損失を低減

並列化の必要性を軽減

電力密度が向上

低電圧オーバーシュート

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