型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 100 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263

RS品番:: 258-3795
メーカー型番:: IPB100N12S305ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 100 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263

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RS品番:: 258-3795
メーカー型番:: IPB100N12S305ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	シリーズ	iPB
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	300W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	139nC
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	シリーズ iPB
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 300W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 139nC
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPB100N12S305ATMA1

Infineon OptiMOS-Tパワートランジスタは、Nチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

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