Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB60R060P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
220-7389
メーカー型番:
IPB60R060P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

151A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS P7 スーパージャンクションMOSFETは、 600 V CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

600V P7により、優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現

ESD耐性≥ 2kV（HBM クラス 2

ゲート抵抗RG内蔵

高耐久性ボディダイオード

スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方が利用可能

優れたFOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss により高効率化を実現

ESD故障の発生を抑制し、製造現場での使い勝手を向上

RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減

MOSFETはPFCやLLCなどのハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに最適

LLC トポロジで見られるボディダイオードのハードコミュテーションにおいて優れた耐久性を発揮

様々なアプリケーション、出力電力に対応可能

民生用や産業用アプリケーションに適した部品を用意

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