Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB60R060C7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
250-0593
メーカー型番:
IPB60R060C7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolMOS C7は、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によってパイオニアとなっています。このシリーズは、主要なSJ MOSFETサプライヤの経験とハイクラスのイノベーションを組み合わせた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1O hm*mm²を下回る史上初の技術です。ハードスイッチング及びソフトスイッチング(PFC及び高性能LLC)に適しています。MOSFET dv/dtの堅牢性が120 V/nsに増加し、効率が向上しています。

スイッチング損失を低減することで高いシステム効率を実現、

小型化による高い電力密度ソリューション、

サーバー、通信、ソーラーなどのアプリケーションに最適

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