Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 51 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R170CFD7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
220-7407
メーカー型番:
IPD60R170CFD7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

51A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

170mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

76W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

順方向電圧 Vf

1V

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

自動車規格

なし

Infineon 600V CoolMOS CFD7は、高速ボディダイオードを内蔵した、Infineonの最新の大電力スーパージャンクションMOSFETテクノロジーであり、CoolMOS 7シリーズのラインアップを補完するものです。CoolMOS CFD7は、ゲート電荷（Qg）の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷（Qrr）低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間 （trr）などを実現しています。

きわめて高速なボディダイオード

クラス最良の逆回復電荷（Qrr）

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの堅牢性向上

きわめて低いFOM（RDS(on) x Qg）と Eoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ

クラス最高のハードコミュテーション堅牢性

共振トポロジに適したきわめて高い信頼性

優れた使いやすさと性能のトレードオフにより、最高の効率を実現

電力密度を高めるソリューションを提供

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