Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 10.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R380C6ATMA1

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梱包形態
RS品番:
753-3011
メーカー型番:
IPD60R380C6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS C6

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

380mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™C6 / C7パワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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