Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R145CFD7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-9740
メーカー型番:
IPD60R145CFD7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7は、インフィニオンの最新高耐圧スーパージャンクションMOSFETテクノロジです。高速ボディダイオードを搭載し、CoolMOS 7シリーズを完備しています。CoolMOS CFD7は、ゲート電荷(Qg)の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷（Qrr）低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間 （trr）などを実現しています。

超高速ボディダイオード

クラス最高の逆回復充電(Qrr)

逆方向ダイオードのdv/dt、dif/dt 堅牢性向上

最小のFOM RDS(on) x QgおよびEoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ

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