Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 45 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージHDSOP, IPDD60R150G7XTMA1

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RS品番:
220-7420
メーカー型番:
IPDD60R150G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

HDSOP

シリーズ

C7 GOLD

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

順方向電圧 Vf

0.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

95W

長さ

6.6mm

高さ

21.11mm

幅

2.35 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon technologiesは、高電力SMPSアプリケーション（PC電源、太陽光発電、サーバーおよび通信システム）に対応した初めての上面冷却型表面実装デバイス（SMD）である Double DPAK （ DDPAK ）を発表しました。既存の高電圧技術600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFETの利点と革新的な上面冷却コンセプトを組み合わせることにより、PFCなどの高電流ハードスイッチング用システムソリューションやLLCトポロジ用のハイエンド効率ソリューションを提供します。

最高クラスのFOM RDS(on) x EossとRDS(on) x Qgを提供

革新的な上面冷却コンセプト

4ピンの分離されたケルビンソース接続と低寄生インダクタンス

の TCOB 機能 >>2,000 サイクル、 MSL1 準拠、鉛未使用

最高レベルのエネルギー効率を実現

基板と半導体の熱分離により、PCB材料の熱限界を克服

寄生ソースインダクタンスを低減し、効率が向上します 使いやすい

高電力密度ソリューションを実現

最高レベルの品質基準を満たす

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