Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 650 V, 100 A, 105 mΩ, 45 nC, 5ピン, パッケージ:VSON

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220-7433
メーカー型番:
IPL60R105P7AUMA1
メーカー/ブランド名:
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

VSON

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

105mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

137W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

長さ

8.1mm

幅

8.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS P7シリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流100 A - IPL60R105P7AUMA1


このMOSFETおよびダイオードは、電力変換およびスイッチング環境における表面実装用途向けに設計された高電圧電源スイッチングデバイスです。Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタと内蔵ダイオードを組み合わせて、幅広い温度範囲で動作しながら、高いドレインソース電圧と大きな連続電流に対応します。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 100A により高負荷に対応
• 最大Rds(on) 105mΩにより、電力段での導通損失を低減
• 最大許容電力 137W により、高い熱負荷に対応
• 45nCの標準ゲート電荷(Vgs 20V時)により、ドライブ要件をバランスアップ
• VSON 5ピンパッケージにより、コンパクトな表面実装統合をサポート

用途


• 高電圧コンバータのSMPS一次側スイッチングに最適
• 高電圧MOSFETダイオードを必要とするオフライン電源に最適
• 高出力コンバータ設計の同期整流に使用
• 産業用モータードライブフロントエンドステージに使用可能
• 大きな連続電流を処理するDC-DCコンバータに最適

安全な動作のために、どのようなゲートドライブ電圧範囲が許容されていますか?


このデバイスは、最大20 Vのゲートソース電圧に対応し、エンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして動作します。

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-40°C~150°Cまでの連続動作に対応しています。

パッケージは取り付けとレイアウトにどのような影響を与えますか?


VSON 5ピン表面実装パッケージにより、低プロファイルの取り付けとコンパクトなアセンブリのための簡単な基板はんだ付けが可能です。

標準的なスイッチング充電設計者がゲートドライバで必要な予算は何ですか?


定格ゲート電圧で標準的な総ゲート電荷量は約45nCで、ドライバ電流とスイッチング損失の計算に役立ちます。

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