Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 97 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージVSON, IPL60R095CFD7AUMA1

RS品番:: 220-7431
メーカー型番:: IPL60R095CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 97 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージVSON, IPL60R095CFD7AUMA1

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60 - 598	￥562.50	￥1,125
600 - 1198	￥499.50	￥999
1200 - 2398	￥436.50	￥873
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RS品番:: 220-7431
メーカー型番:: IPL60R095CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id	97A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	CoolMOS
	パッケージ型式	VSON
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	65mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	51nC
	最大許容損失Pd	147W
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Max	150°C
	幅	8.1 mm
	長さ	8.1mm
	高さ	1.1mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id 97A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ CoolMOS
	パッケージ型式 VSON
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC
	最大許容損失Pd 147W
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Max 150°C
	幅 8.1 mm
	長さ 8.1mm
	高さ 1.1mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Infineon 600V CoolMOS CFD7は、高速ボディダイオードを内蔵した、Infineonの最新の大電力スーパージャンクションMOSFETテクノロジーであり、CoolMOS 7シリーズのラインアップを補完するものです。CoolMOS CFD7は、ゲート電荷（Qg）の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷（Qrr）低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間（trr）などを実現しています。

きわめて高速なボディダイオード

クラス最良の逆回復電荷（Qrr）

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの堅牢性向上

きわめて低いFOM（RDS(on) x Qg）と Eoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ

クラス最高のハードコミュテーション堅牢性

共振トポロジに適したきわめて高い信頼性

優れた使いやすさと性能のトレードオフにより、最高の効率を実現

電力密度を高めるソリューションを提供